최우진 SK하이닉스 부사장, 동탑산업훈장 수상..."HBM 성공은 시장변화에 선제적 대응 덕분"
  • 홍윤기 기자
  • 승인 2024.11.19 10:30
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최 부사장, SK하이닉스 첨단 패키징 기술 개발 주도한 공로
"많은 도전 속에도 멈추지 않은 SK하이닉스 구성원에 감사"
최우진 SK하이닉스 부사장(오른쪽 두번째)이 7일 서울 여의도 FKI타워에서 열린 '제48회 국가생산성대회'에서 동탑산업훈장을 수여받고 있다./ 사진 = SK하이닉스 

[인더스트리뉴스 홍윤기 기자] SK하이닉스는 최우진 P&T(Package & Test)담당 부사장이 동탑산업훈장을 수상했다고 19일 밝혔다.

최 부사장은 SK하이닉스가 HBM(고대역폭 메모리) 선도 기업으로 발돋움하는데 기반이 된 패키징 분야 기술 혁신을 이뤄낸 공로를 인정받았다.

최 부사장은 지난 7일 서울 여의도 FKI타워에서 열린 ‘제48회 국가생산성대회’ 시상식에서 상을 받은 뒤 “세계 최고 수준의 HBM을 위해 함께 노력한 모든 구성원들께 감사의 인사를 전하고 싶다”며 “많은 도전과 변화 속에서도 모두가 멈추지 않고 혁신과 성장을 추구해 온 덕분에, 이런 큰 상을 받을 수 있었다고 생각한다”고 소감을 전했다.

국가생산성대상은 산업통상자원부가 주최하고 한국생산성본부가 주관해 탁월한 생산성 혁신을 달성한 기업과 유공자에게 수여되는 상이다. 

최우진 부사장이 이끌고 있는 P&T 조직은 반도체 생산공정 중 후(後)공정에 해당하는 패키징(Packaging)과 테스트(Test)를 담당한다. 팹(Fab)에서 전(前)공정을 마친 웨이퍼를 제품 형태로 패키징하고, 고객이 요구하는 수준에 적합한 품질인지 테스트해 신뢰성까지 확보하는 것이 역할이다.

최 부사장은 TSV(수직관통전극), MR-MUF(적층된 칩 사이의 범프를 녹여 칩끼리 연결하는 기술) 등 압도적인 패키징 기술력을 개발하며 SK하이닉스의 HBM 전성기를 여는데 공헌했다.

SK하이닉스는 최 부사장이 지난 2019년 HBM 3세대 제품인 HBM2E 패키지에 최초로 MR-MUF 기술을 도입해 열과 압력으로 인한 품질 문제를 개선했으며, 수율을 개선하고 생산량을 끌어올림으로써 시장의 판도를 바꿨다고 설명했다.

최 부사장은 더나아가 MR-MUF 기술을 고도화한 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 기술을 개발해 4세대 HBM3 12단과 5세대 HBM3E 개발 및 양산까지 성공으로 이끌었다.

특히 지난 2019년 미중 무역 갈등, 일본의 수출 규제 정책 등으로 대외 여건의 불안정성이 높았던 당시 협력사와 함께 패키징 분야 업계 최고 수준의 국산 장비를 개발해냈다.

최 부사장은 또 해외 의존도가 높았던 도금액, 접합 소재 등의 국산화까지 이끌어내며, 소재 국산화율을 높이는 데도 기여했다.

이러한 성공에 대해 최 부사장은 시장 변화에 촉각을 곤두세우며 선제적으로 대응해 온 덕분이라고 강조했다. 그는 역대 HBM 개발 및 양산 과정에서 가장 중요한 것으로 ‘타임 투 마켓(TTM, Time to Market)’을 꼽으며, 시장 상황에 기민하게 대처할 수 있는 기술을 준비해야 한다고 설명했다

최 부사장은 “AI 시대의 반도체 산업은 급속히 변하고 있어 시장 상황과 고객의 요구를 빠르게 파악하여 대응하는 것은 기본이며, 무엇보다 이를 뒷받침할 수 있는 기술력을 꾸준히 준비하는 것이 중요하다”면서 “SK하이닉스가 HBM을 통해 AI 메모리 시장을 선도할 수 있었던 것은 바로 이러한 준비 덕분”이라고 설명했다.



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