[인더스트리뉴스 홍윤기 기자] 김춘환 SK하이닉스 부사장(R&D공정 담당)이 은탑산업훈장을 받았다. 김 부사장은 HBM(고대역폭 메모리) 제조의 핵심 기술인 TSV(Through Silicon Via) 기술 개발에 기여하는 등 국내 반도체 기술력 향상에 기여한 공로를 인정받은 셈이다.

2일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 김춘환 부사장은 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘2024 산업기술 R&D 종합대전’에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정됐다.

R&D대전은 국내 연구·개발(R&D) 성과를 알리고, 산·학·연 협력을 촉진하고자 산업통상자원부가 주관하는 연례행사다.

산업훈장은 산업기술진흥 유공의 최고상격으로, 김 부사장은 이 부문에서 은탑산업훈장 수상의 영예를 안았다.

김 부사장은 “요소기술(반도체 설계·제조·패키징·테스트 등 공정을 구현하는 데 필요한 기초 기술)을 원천으로 수익성 높은 고성능 제품을 성공적으로 양산한 공적을 인정받았다”며 “모든 구성원의 헌신과 노력으로 맺은 결실”이라고 소감을 밝혔다.

1992년 SK하이닉스에 입사한 김춘환 부사장은 32년간 메모리 반도체 연구에 매진하며 첨단기술 개발을 이끌었다.

특히 그는 HBM의 핵심인 TSV요소기술 개발 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며, HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다.

TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상·하단 칩을 전극으로 연결하고 적층하는 기술로 고용량, 고대역 메모리 제조의 핵심이다.

김 부사장은 “TSV 개발 초기에는 고도의 정밀성과 미세한 제어가 요구되다 보니 난이도가 정말 높았다”며 “특히 금속층 증착과 회로 패턴 형성 과정에서 어려움이 상당히 컸다”고 개발 당시를 회고했다.

김 부사장은 HBM 뿐 아니라 범용 D램·낸드플래시 분야에서도 기술력과 생산성 향상에 기여한 공로를 인정받았다.

김 부사장은 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정과  6세대(1c) D램 공정에 EUV 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했다. 

낸드플래시 분야에서도 신뢰성을 높여 수율 안정성을 확보해 생산성을 높이는 데 기여했다. 김 부사장은 또 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding) 기술을 개발해 초고층 낸드를 생산하는 데 필요한 핵심 요소기술을 확보했다.

김 부사장은 기술 개발뿐만 아니라 반도체 생태계 육성에도 기여했다는 평가를 받는다. 국내외 반도체 학회 강연에 나서며 R&D 노하우를 공유했고, 소재·부품·장비 협력사와의 기술 협력에도 힘써왔다.

김 부사장은 “신규 요소기술 정의부터 기술 개발 착수, 안정적 제품 양산까지 전 과정에서 조직이 하나돼야만 목표를 달성할 수 있다”면서 “요소기술을 적기에 개발하려면 실패를 두려워하지 말고 지속해서 도전하고 시도해야 한다”고 강조했다.

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